填补芯片技术空白项目：手机电池/电动汽车/太阳能IC

项目名称：填补IC芯片技术空白项目
团队人数：60
目前进度：发展初期
项目目标：手机电池/电动汽车/太阳能IC
项目类型：其他行业
融资金额：1000-2000万美元
项目网址： www.hpell.com
网站缩率图：无图片信息！
项目简介：一.项目填补IC芯片技术空白项目、科技部报告:“国内技术空白”项目、中国集成电路技术专利申报项目。MOSFET  IGBT (手机电池电磁炉 电动汽车 太阳能IC)二.申报项目名称：高压大功率IGBT芯片设计与制造   申报单位：华派科技(深圳)有限公司中国科学技术部 (己盖红章) 结论：有关高压大功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）有研究已见文献提及，但综合具备本项目所述技术特点的高压大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片设计与制造，国内未见文献报道。

三.公司规划: 专业IC芯片技术提供商HPELL华派，是服务全球的专业独立集成电路IC设计公司，是从事半导体产品等有自主知识产权产品研发、推广的国际高科技企业。公司将具备从芯片设计到整机系统开发的研发能力。为全球市场提供消费电子、汽车电子、无线通信、网络、工业控制等设计和生产半导体产品.以“自主创芯，服务全球”为理念,以用户体验为价值,倡导节能环保,推动技术创新及科技进步。 负责人:Jack 李鸣杰13823772808.

l          公司自主研发、拥有自主产权、填补国内IGBT芯片技术空白的电力电子技术----高压大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片的设计与制造技术.

l          硅谷团队,研究开发能力强.

l          公司主要生产手机电池、电磁炉、电动汽车芯片、太阳能芯片，市场空间巨大.

l          政府扶持产业, 且深圳产业集群效应明显, 产业整体环境较好.

l          市场成长较快, 利润较高, 投产当年即可实现盈利, 迅速替代国外进口产品，利润率30%以上. 3—5年营业额达8—15亿，可实现上市.

l          报批工业园及研究院, 落地拿土地资源，战略价值效应明显.

l          目前公司处于种子期, 有较强烈的融资需求. 回报应较高。

资金：首期资金1000-2000万美元: 用于现有项目及新项目一次二次开发、代工厂大批量生产、产品有2-3个月的销售资金回收等。工资及办公 :40万美元，晶元及小批量生产:100-150万美元，客户订单大批量生产:800-1000万美元（ 2-3个月产品如:手机电池2000万颗/月，1元/颗，客户压款3个月即近1000万美金）

 

四.产品及知识产权:

MOSFET  IGBT 太阳能IC (手机电池 电磁炉 马达驱动 汽车电子 太阳能IC)

知识产权：公司已有MOSFET、IGBT芯片产品.公司正在申请各项专利。

五.共创未来

网 址：www.hpell.com   负责人:Jack 李鸣杰  13823772808   E-mail:hpell@126.com

专业IC芯片技术,诚邀有共同愿景的IC精英加盟,及半导体事业合伙人! 诚邀策略同盟(首期1000-2000万美金)! 关健词:Mosfet、IGBT、太阳能IC。

公司名称：华派科技(深圳)有限公司
公司地址：中国深圳市高新技术产业园南区深圳清华大学研究院6楼
联系人：Jack
联系电话：13823772808
E-mail：hpell@126.com
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